[发明专利]表面平坦化的方法有效
| 申请号： | 98123006.7 | 申请日： | 1998-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1167108C | 公开（公告）日： | 2004-09-15 |
| 发明（设计）人： | 牛保刚;李昌盛;林必宨;李森楠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种表面平坦化的方法，其为在进行化学机械研磨法平坦化半导体晶片的表面之前，在绝缘层上方涂覆一层旋涂式玻璃，并进行热烘烤步骤，使半导体晶片表面较为平坦，再以化学机械研磨法研磨半导体晶片表面，此法将可以改善现有技术中半导体晶片因表面上元件分布的密度不均匀，而造成在平坦化步骤之后在元件分布较稀疏的区域产生凹陷现象。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面平坦化的方法，其特征在于，其步骤包括：提供一半导体晶片；在该半导体晶片上方形成一绝缘层；在该绝缘层上方涂覆一旋涂式玻璃层；在100℃至170℃的温度下进行一热烘烤步骤，且在热烘烤步骤后不进行固化步骤；以及以化学机械研磨法进行一平坦化步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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