[发明专利]电容器的下电极和电容器的制造方法

摘要

一种电容器的下电极的制造方法包括：在基底上形成绝缘层；限定绝缘层以形成接触窗开口，接触窗开口暴露出基底；在接触窗开口中及绝缘层上形成掺杂多晶硅层；在掺杂多晶硅层上方形成第一非晶硅层；限定掺杂多晶硅层和第一非晶硅层，以形成混合结构；在混合结构和绝缘层上方形成一第二非晶硅层；蚀刻第二非晶硅层，以在混合结构侧壁形成侧壁间隔层；以及在第一非晶硅层上方及沿着该侧壁间隔层形成半球形硅晶粒层。本发明还涉及电容器的制造方法。

主权项

1.一种电容器的下电极的制造方法，适用于一基底，该方法包括：在该基底上形成一绝缘层；限定该绝缘层，以形成一接触窗开口，该接触窗开口暴露出该基底；在该接触窗开口中及该绝缘层上形成一掺杂多晶硅层；在该掺杂多晶硅层上方形成一第一非晶硅层；限定该掺杂多晶硅层和该第一非晶硅层，以形成一混合结构，该混合结构为对应于该接触窗开口上方的该掺杂多晶硅层和该第一非晶硅层所组成；在该混合结构和该绝缘层上方形成一第二非晶硅层；蚀刻该第二非晶硅层，以在该混合结构侧壁形成一侧壁间隔层；在该第一非晶硅层上方及沿着该侧壁间隔层形成一半球形硅晶粒层；以及提供一热处理工艺，以使该掺杂多晶硅层的杂质扩散到该半球形硅晶粒层，该第一非晶硅层和该侧壁间隔层。