[发明专利]半导体器件、存储单元以及它们的制作工艺

摘要

半导体器件包括一个静态随机存储单元的存储矩阵。与至少三种一般所见的SRAM单元相比，该SRAM单元采用一层半导体层形成。SRAM单元包括许多特点，它们使得器件尺寸可以缩小到非常小的尺寸(小于0.25微米，并且可能小到0.1微米或更小)。独特的工艺集成方案使得局部互连形成，其中每个局部互连交叉连接SRAM的反向器，并且在单个开孔中形成。字线的互连部分还横向偏离同一字线的硅部分，以便互连部分不影响位线连接。

主权项

1、一个半导体器件，其特征为：一个具有主表面的衬底；一个第一掺杂区(244)和一个第二掺杂区(284)，每个都位于衬底中主表面附近。一个覆盖衬底主表面部分(345)的第一导电部分(34)，其中从顶部看下去：部分(345)位于第一掺杂区(244)和第二掺杂区(284)之间；以及其中第一导电部分包括一个栅电极部分(344，348)；一个覆盖第一导电部分的第一绝缘层(44)，从顶部看下去，第一绝缘层(44)和第一导电部分(34)具有相似的形状；一个具有第一开孔(70)的第二绝缘层(62)；一个将第一掺杂区(244)与第二掺杂区(284)电学连接的第一互连(524)；其中第一互连(524)延伸到第一导电部分(34)和第一绝缘层(44)上；第一互连(524)是一个位于第二绝缘层(62)的第一开孔(70)内的内置互连；并且在第二绝缘层(62)的第一开孔(70)中，第一互连在垂直方向上通过第一绝缘层(44)与第一导电部分(34)电学隔离。