[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98123314.7 | 申请日： | 1998-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1225520A | 公开（公告）日： | 1999-08-11 |
| 发明（设计）人： | 大矢昌辉;土井健嗣 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01S3/18 | 分类号： | H01S3/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,王岳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在备有AlInP电流阻挡层的AlGaInP可视半导体激光器件中,提供可再降低电流阻挡层光吸收的结构及其方法。形成n－AlGaAs电流阻挡层9,使具有p－AlGaInP覆盖层5、7的平坦部和台面侧部的中间面方向,在其上形成n－AlInP电流阻挡层10。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，在第1导电型半导体基片上具有包括含第1导电型覆盖层、有源层、带状台面部的第2导电型覆盖层组成的双异质结构，在该双异质结构上具有按该顺序的除所述台面上部外形成的第1电流阻挡层以及第2电流阻挡层，其特征是，所述第1电流阻挡层的表面具有所述第2导电型覆盖层的平坦面的面方向和台面侧面的面方向的中间角度面方向。
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