[发明专利]改进的反向平行限定式自旋阀型传感器无效
| 申请号： | 98123470.4 | 申请日： | 1998-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1136540C | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 穆斯塔法·皮纳巴西 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有NiO/Ni-Fe/Co/Ru/Co/Cu/Ni-Fe/顶盖层之结构的AP限定式SV型传感器，其中限定层包括第一和第二铁磁性层，由反向平行耦合层隔开。第一磁性限定层还包括Ni-Fe的第一限定次层和Co的第二限定次层，其中Ni-Fe的第一限定次层形成在并直接接触NiO反铁磁性(AFM)层。Ni-Fe的第一限定次层将Co的第二限定次层与NiO AFM层相隔离，使限定磁场和层叠的AP限定层的磁矩控制都大为改进。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 反向 平行 限定 自旋 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种自旋阀型磁电阻传感器，包括：自由铁磁层；反向平行(AP)限定层，包括：反向平行耦合层；由以所述反向平行耦合层使之彼此分开的第一和第二铁磁性层，所述第一铁磁性层还包括第一和第二铁磁性次层；和反铁磁性(AFM)层，与所述第一铁磁性次层相接触，用于限定所述第一铁磁性层的磁化强度；以及隔层，设置在所述自由铁磁性层和所述AP限定层之间。
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