[发明专利]内置指状平板式电容电阻及其制造方法无效
申请号: | 98123976.5 | 申请日: | 1998-11-05 |
公开(公告)号: | CN1155010C | 公开(公告)日: | 2004-06-23 |
发明(设计)人: | 林文彦;黄士庭 | 申请(专利权)人: | 华通电脑股份有限公司 |
主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01G4/33;H05K1/16 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 潘帼萍 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种内置指状平板式电容电阻及其制造方法,其特点是:在一绝缘基材表、底面分设铜层的基板上依次进行光阻涂布、影像转移、蚀刻等步骤后,将具有高电阻系数的导电层印刷至基板上来构成平板式电阻,又上述影像转移步骤以特定的影像数据转移至基板经蚀刻后形成交叉的指状电极,经涂布高介电系数树脂后即构成平板式电容,且与上述电阻位于同一平面上;由此可大量释出印刷电路的表面空间,提高元件密度,及信号输送质量。 | ||
搜索关键词: | 内置 平板 电容 电阻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种内置指状平板式电容电阻的制造方法,其特征在于步骤包括:选择绝缘基板,该基板的基材具有固定的介电系数与厚度,可经控制导电层的长、宽来获取所需阻值的电阻,在绝缘基材表底面分别形成铜层,以构成基板,在基板上涂布光阻并进行影像转移,在基板上进行影像蚀刻,而在基材上分别形成交叉的指状电极及局部铜层,去除光阻,在基板上印刷由钨金属或导电高分子形成的导电层,以构成平板式电阻,在平板式电阻及交叉指状电极间涂布高介电系数树脂,令指状电极隔着树脂构成平板式电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华通电脑股份有限公司,未经华通电脑股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/98123976.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:厚膜电阻器及其制备方法
- 下一篇:电气器件