[发明专利]半导体图象传感器的结构及其制造方法有效
| 申请号： | 98123996.X | 申请日： | 1998-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1139994C | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 克里福德·I·朱雷;罗伯特·M·贵达西;马克·S·思文森 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司;伊士曼·柯达公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种图象传感器(10)，具有图象敏感元件，该元件包括N型导电区(26)和P型嵌入层(37)。这两个区构成两个深度不同的P-N结，提高了不同光频下电荷载流子收集的效率。导电区(26)是通过有角度的注入形成的，这样可以保证导电区(26)的一部分可以用作MOS晶体管(32)的源。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 图象 传感器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1·一种图象传感器，其特征在于：具有第一掺杂浓度的第一导电类型的衬底(11)；衬底上的第一阱(16)，第一阱具有第一导电类型和大于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度，其中第一阱具有深入到衬底的第一深度(24)；与第一阱(16)隔开横向的衬底上的第一MOS晶体管(32)；与第一MOS晶体管邻接的位于衬底内的第二导电类型的导电区(26)，其中一部分导电区形成第一MOS晶体管的漏，并且导电区(26)具有深入到衬底的第二深度(29)；第一导电类型的嵌入层(37)，具有形成于导电区(26)内部的第一部分和以远离第一MOS晶体管(32)的方向从导电区横向延伸的第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
