[发明专利]Al基金属层的刻蚀方法无效
| 申请号： | 98124176.X | 申请日： | 1998-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1221809A | 公开（公告）日： | 1999-07-07 |
| 发明（设计）人： | 布鲁诺·斯普勒;威林德尔·格雷沃;成田雅喜;杨智华(音译) | 申请（专利权）人： | 西门子公司;国际商业机器公司;株式会社东芝 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体衬底上边形成以Al为基体材料的金属层,在上述金属层上边涂敷光刻胶,进行光刻形成光刻胶图形,把上述半导体衬底放入ICP(感应耦合等离子体)装置的反应室内,向上述反应室导入含有HCl和BCl3的混合气体,以上述光刻胶为掩模刻蚀上述金属层。刻蚀用从HCl或BCl3中的任何一方中分离出来的Cl离子或Cl活化物进行。在进行该刻蚀时,Cl离子或Cl活化物与光刻胶进行反应,在布线层的侧壁上形成由Al2O3构成的侧壁保护膜。 | ||
| 搜索关键词： | al 基金 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置的制造方法，具备下述工序：在半导体衬底上边形成以Al为基体材料的金属层的工序；在上述金属层上边涂敷光刻胶，进行光刻形成光刻胶图形的工序；和把上述半导体衬底放入ICP(感应耦合等离子体)装置的反应室内，向上述反应室导入含有HCl和BCl3的混合气体，以上述光刻胶图形为掩模刻蚀上述金属层的工序。
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