[发明专利]带半球形晶粒的电容器下电极的制造方法无效
| 申请号： | 98124482.3 | 申请日： | 1998-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1151545C | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 藤原秀二;广田俊幸 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种控制HSG的均匀形成和防止杂质耗尽的大容量电容器的制造方法，其步骤是：形成连接到半导体衬底上的下电极形成区域的第一非晶硅层；在第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；在第二非晶硅层上形成第三非晶硅层；腐蚀部分第一非晶硅层和部分第三非晶硅层并露出它们；在第一非晶硅层和第三非晶硅层的表面上形成微小的半球形晶粒(HSG)；以及通过退火将杂质扩散到HSG内由此形成下电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半球形 晶粒 电容器 电极 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电容器下电极的方法，包括：在半导体衬底上形成具有第一杂质浓度的第一非晶硅层；在所述第一非晶硅层上形成具有低于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度的第二非晶硅层；在所述第二非晶硅层的表面上形成半球形晶粒HSG；和使杂质从所述第一非晶硅层扩散到所述HSG。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
