[发明专利]用于布线的铝膜形成方法无效
| 申请号： | 98124716.4 | 申请日： | 1998-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1113400C | 公开（公告）日： | 2003-07-02 |
| 发明（设计）人： | 菅井和己 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/283;H01L21/768;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,黄敏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用铝膜使空隙消失并且完全掩埋在层间绝缘膜等上形成的高长宽比的接触孔和通孔。在包括接触孔13内的绝缘膜12的表面上，形成相对于铝的化学气相淀积具有核形成作用的核形成层，接着，在包括接触孔13内壁的绝缘膜12的表面上，通过化学气相淀积形成比接触孔13的半径中最小半径薄的膜厚的铝膜15。随后，在铝膜15的表面被自然氧化膜覆盖前进行热处理，并进行铝的回流，以使接触孔13内部完全被铝膜15掩埋。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 布线 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于布线的铝膜形成方法，在形成设置在基片上的孔部的绝缘膜上形成铝膜，包括生长工序，在包括所述孔部的内壁的所述绝缘膜的表面上，通过化学气相淀积形成膜厚比所述孔部半径内最小半径薄的铝膜，和热处理工序，在所述生长工序实施后，在所述铝膜的表面被自然氧化膜覆盖前进行热处理，所述热处理工序是使氧化性气体分压在1×10-7Torr以下条件下进行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98124716.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电动清扫机
- 下一篇：一种用于测量和补偿由涡流感生的空间和时间变化磁场的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
