[发明专利]制备层间绝缘层的工艺和其中使用的汽相淀积系统无效
| 申请号： | 98124791.1 | 申请日： | 1998-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1219764A | 公开（公告）日： | 1999-06-16 |
| 发明（设计）人： | 五味秀树 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 聚对亚苯基二甲基的聚合物由于其小的介电常数而希望用于层间绝缘层;但是,聚对亚苯基二甲基的二聚物/单聚物在淀积过程中引入到聚合物层(23)中,在聚合物层上淀积硅氧化物过程中,残余二聚物/单聚物释放出气体(PA3),从而硅氧化物层容易从聚合物层(23)剥落;为防止得到的半导体结构发生硅氧化层的剥落,在淀积硅氧化物之前,对聚合物层(23)退火,用于预先从聚合物层(23)释放残余的二聚物/单聚物(PA3)。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 绝缘 工艺 其中 使用 汽相淀积 系统 | ||
【主权项】：
1．制造半导体器件的工艺，包括以下步骤：a)制备具有第一层(22a/22b)的半导体结构(21/22a/22b；54)；b)在所述第一层上输送源气，以便在所述第一层上形成主要由聚对亚苯基二甲基构成的聚合物；c)用第二层覆盖所述主要由聚对亚苯基二甲基构成的聚合物，其特征在于还包括以下步骤：d)在所述步骤b)和c)之间，在高温真空中、在含有惰性气体的高温气氛或含有氮气的高温气氛中，从所述主要由聚对亚苯基二甲基构成的聚合物释放所述源气的残余物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
