[发明专利]半导体器件

摘要

半导体器件含有一硅基底;其中的一MOS半导体器件,该器件最外层表面上有一硅化物区;一覆盖该器件的第一绝缘膜;一在第一绝缘膜上的电容器元件,该元件包含一下电极、一上电极和一设置在下电极和上电极间的电容膜,该膜包含铁电材料;一覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜;一在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔;一第二绝缘膜上的互连层,该层使MOS器件与电容器元件电连接,互连层的底部包含除了钛以外的一种导电材料。

主权项

1、一种半导体器件，它包括：一个硅基底；一个设置在硅基底上的MOS半导体器件，该MOS半导体器件在其一个最外层表面上含有一个硅化物区；一个覆盖了MOS半导体器件的第一绝缘膜；一个设置在第一绝缘膜上的电容器元件，该电容器元件含有一个下电极、一个上电极、和一个设置在下电极和上电极之间的电容膜，该电容膜包含一种铁电材料；一个覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜；一个设置在MOS半导体器件和电容器元件上方的第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔；以及一个设置在第二绝缘膜上的互连层，它用来使MOS半导体器件与电容器元件互相发生电连接，其中互连层的底部含有除了钛之外的一种导电材料。