[发明专利]电容器及其制造方法

摘要

在集成电路电容器的制造中，在基片上形成基底氢壁垒层，为非导电的或导电的。然后形成下部电极层和铁电/电介质层并选择地刻蚀。在电介质层上形成一非导电氢壁垒层并选择刻蚀。顺序淀积上部电极和导电氢壁垒层并选择刻蚀。非导电氢壁垒层覆盖除上部电极的一部分外的电容器，导电氢壁垒层覆盖无非导电氢壁垒层的部分。因此基底壁垒层、非导电氢壁垒层和导电氢壁垒层一起整体覆盖电容器。电介质层包括铁电或高介电系数的金属氧化物。

主权项

1.一种存储器，其中包括：一电容器，所述的电容器具有一下部电极、一电介质层和一上部电极，所述电介质层具有一电介质侧表面和一电介质上表面；一非导电氢壁垒层，除了在所述电介质上表面的部分之上的一区域之外，所述非导电氢壁垒层覆盖所述电介质侧表面和所述电介质上表面，其中所述上部电极位于所述电介质层之上并且充满了所述非导电氢壁垒层不存在的所述区域；一导电氢壁垒层，所述导电氢壁垒层覆盖所述上部电极。