[发明专利]形成金属互连的方法无效
| 申请号： | 98125263.X | 申请日： | 1998-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN1118871C | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 朴仁善;金晟泰;李斗焕;许元九 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/31;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种形成金属互连的方法。在半导体衬底上形成第一导电层，其上再形成绝缘层。腐蚀部分绝缘层直到露出第一导电层的上表面，形成接触孔。至少在接触孔的底部形成阻挡层。进行第一热处理使阻挡层致密。至少在接触孔的两个侧壁上形成浸润层。在浸润层上形成第二导电层，填充接触孔。进行第二热处理，用第二导电层完全填充接触孔。该方法可以防止第一和第二导电层反应导致的产生合金、体积收缩和界面空隙，从而防止金属互连中电阻增加。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成金属互连的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一导电层；在包括第一导电层的半导体衬底上形成绝缘层；腐蚀部分绝缘层直到露出第一导电层的上表面，形成接触孔；至少在接触孔的底部形成阻挡层；选择使用快速热氮化或使用加热炉热处理工艺中的一种进行第一热处理使阻挡层致密；至少在接触孔的两个侧壁上形成浸润层；在浸润层上形成第二导电层，填充接触孔；使用回流工艺进行第二热处理，用第二导电层完全填充接触孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98125263.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
