[发明专利]光掩模和制备电子元件的方法无效
| 申请号： | 98125533.7 | 申请日： | 1998-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1132224C | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | D·C·惠勒;J·A·曼德曼;R·D·米 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,陈景峻 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供一种光掩模和使用光掩模制成尺寸可控的光致抗蚀剂图形。使用本发明的掩模在具体控制的散焦条件下曝光其上覆盖光致抗蚀剂的晶片，以提供尺寸可控的光致抗蚀剂图形剖面。包括在掩模上至少一个光掩蔽图形的一面上的多相移结构的掩模提供了能穿过光的掩模，该掩模在光掩蔽材料那面上具有多个相位，产生尺寸可控的光致抗蚀剂图形剖面。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 制备 电子元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，用在成像系统中，由此光穿过掩模并照射光致抗蚀剂覆盖的衬底，在电子元件衬底上形成尺寸可控的光致抗蚀剂图形，该掩模特征在于包括：允许光穿过的掩模衬底，其上具有光掩蔽材料，以多个线条和其他电路形状的形式，限定要形成在元件衬底上需要的光致抗蚀剂图形，提供至少一个光掩蔽结构的一面上的多移相器结构，由此当光穿过掩模时，光的相位在光掩蔽结构的每一面不同，除了0°或180°，或至少一个光相位的倍数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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