[发明专利]晶片表面清洗装置及方法无效
| 申请号： | 98125767.4 | 申请日： | 1998-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1221976A | 公开（公告）日： | 1999-07-07 |
| 发明（设计）人： | 殷晓明;宁贤洁 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B3/00 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种去除微电子制造中衬底(13)表面(12)上的污染物(11)的衬底清洗装置(10)和方法。清洗装置(10)包括用于测位和映射衬底表面上的至少一种污染物(11)的物质测位器(15)分配装置(16),其形成和规格为沿路径(18)分配清洗剂基本控制的冲击流(17)。一个控制装置(20)耦合到映射装置(15)和分配装置(16),用于控制冲击流(17),以便根据冲击流(17)的路径(18)定位探测到的污染物(11),从而可以基本上进行局部冲击,从衬底表面(12)上去掉污染物(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 表面 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于微电子技术制造中从衬底表面上去掉污染物的衬底清洗装置，包括：用于测定和映射衬底表面上的至少一种污染物的物质测位器；分配装置，其形成和规格为一沿路径分配基本控制的清洗剂冲击流；耦合到所说映射装置和所说分配装置的控制装置，用于控制所说冲击流，以便根据冲击流的路径定位探测到的污染物，从而可以基本上进行局部冲击，从衬底表面上去掉污染物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
