[发明专利]半导体元件的微细图形间隙的形成方法

摘要

一种半导体技术，尤其是一种半导体元件的微细图形间隙的形成方法，它包括：在半导体基片上的预定蚀刻对象层上部形成光致抗蚀剂图形的步骤；集中在所述光致抗蚀剂图形侧壁部分，蒸镀非挥发性聚合物的步骤；以所述光致抗蚀剂图形和所述非挥发性聚合物为蚀刻障壁，蚀刻所述蚀刻对象层的步骤；本发明能用现有设备和技术，较容易地实现平板印刷工艺裕度以下的线宽，线宽控制容易。根据应用方法，具有防止误排列的效果。

主权项

1.一种半导体元件的微细图形的形成方法，包括：在半导体基片上形成预定蚀刻对象层的步骤；在所述蚀刻对象层上形成蚀刻阻挡层，形成光致抗蚀剂图形，以曝光所述蚀刻阻挡层的部分区域的步骤；在所述半导体基片上施加偏置电源的步骤；一边蚀刻所述曝光的蚀刻阻挡层，一边在光致抗蚀剂图形侧壁上形成非挥发性聚合物的步骤；和以所述光致抗蚀剂图形和所述非挥发性聚合物作为蚀刻障壁，蚀刻所述蚀刻对象层，使蚀刻对象层间的间隔最小化的步骤。