[发明专利]具有垂直栅侧壁的场效应晶体管和制造这种晶体管的方法无效
| 申请号： | 98126049.7 | 申请日： | 1998-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN1155100C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 迪亚尼·C·伯伊德;斯图亚特·M·伯恩斯;侯塞因·I·哈纳非;袁·陶尔;威廉·C·维尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | MOSFET具有薄的栅氧化层和位于该栅氧化层上的垂直侧壁的栅导体。在源区和沟道区及漏区和沟道区之间的界面是突变的。在包括衬垫氧化层的半导体结构上形成介质叠层；在该介质叠层上界定具有待形成的栅柱的横向尺寸和形状的刻蚀窗；用RIE工艺将该刻蚀窗转移到该介质叠层中从而在该介质叠层中界定栅孔；淀积栅导体充填该栅孔；除去覆盖该栅孔周围的半导体结构部分的栅导体；除去该介质叠层的至少一部分，以便将具有垂直侧壁的栅柱设置成独立的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 侧壁 场效应 晶体管 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：邻近沟道区并位于沟道区两侧的漏区和源区；位于沟道区上的薄栅氧化层，所述薄栅氧化层的厚度小于5纳米；位于栅氧化层上、长度小于0.1微米的栅导体；所述栅导体具有垂直侧壁，并且源区和沟道区以及漏区和沟道区之间的结是突变的。
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