[发明专利]物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法无效

申请号：	98126335.6	申请日：	1998-12-25
公开（公告）号：	CN1153264C	公开（公告）日：	2004-06-09
发明（设计）人：	近江和明;米原隆夫;坂口清文;柳田一隆	申请（专利权）人：	佳能株式会社
主分类号：	H01L21/30	分类号：	H01L21/30;H01L21/68;H01L21/02
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人：	王永刚
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	一种物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法。提供了一种在多孔层处分离带有多孔层的衬底的装置。带有多孔层(101b)的键合衬底叠层(101)在旋转的情况下由衬底固定部分(108，109)支持。高速高压的水(射流)从喷嘴(112)射出并注入到键合衬底叠层(101)，从而物理上将键合衬底叠层(101)分离成二个衬底。射流压力根据分离工艺的进展而恰当地改变。
搜索关键词：	物体分离装置方法以及半导体衬底制造
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【主权项】：

1.一种用来分离物体的分离装置，所述物体具有易碎层作为分离层，所述分离装置包含：射流装置，带有用来将流体射流喷射到所述物体以分离该物体的流体射流单元；扫描装置，用来改变所述流体射流单元和所述物体之间的相对位置关系，以便使物体分离工艺从所述物体的周边部分进行到所述物体的中央部分；以及控制装置，用来根据所述物体分离工艺的进行改变从射流单元喷射的流体的压力。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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