[发明专利]用微波形成薄膜的装置和方法有效
| 申请号： | 98126397.6 | 申请日： | 1998-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1153265C | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 郑善太;申东或;金贤洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H05B6/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 通过使用微波形成薄膜的装置及其使用方法。该装置包括微波退火炉；用于控制微波退火炉内的空气气氛的状态的退火炉气氛制造器；用于检测微波退火炉内的温度并将其与预定标准温度进行比较并输出误差温度的温度检测/控制器；及用于参照从温度检测/控制器输出的误差温度产生预定温度的微波并将微波提供给微波退火炉的微波电源。通过使用微波的压实可以快速的形成具有精细结构的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 形成 薄膜 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.当硅晶片和二氧化硅碳黑形成样品时用于通过致密硅晶片上的预定二氧化硅碳黑从而在硅晶片上形成薄膜的装置，包含：用于密封样品并将样品暴露到微波中并由此退火样品的微波退火炉，微波退火炉包含围绕样品的绝缘材料，从而防止在致密碳黑的过程中热量被散失；用于控制微波退火炉内的空气气氛的状态的退火炉气氛制造器；用于检测微波退火炉内的温度并将其与预定标准温度进行比较并输出误差温度的温度检测/控制器；用于参照从温度检测/控制器输出的误差温度产生预定温度的微波并将微波提供给微波退火炉的微波电源；以及与温度检测/控制器相连，并与样品相接触用于支撑在绝缘材料内的样品的预定支架。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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