[发明专利]用于形成存储电极的改进工艺无效
| 申请号： | 98126504.9 | 申请日： | 1998-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN1131549C | 公开（公告）日： | 2003-12-17 |
| 发明（设计）人： | 真锅和孝 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/265;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在具有大量半球形的粒的存储电极形成工艺中，在大量半球形晶粒在存储电极表面形成之后，在20keV-60keV的离子注入能量下将磷离子注入到半球形晶粒中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 存储 电极 改进 工艺 | ||
【主权项】：
1.用于在电极表面上具有精细凸状物的电极形成工艺，其中在电极表面上形成精细凸状物之后，在20keV-60keV的离子注入能量下将磷离子注入到所述精细凸状物中，所述离子的注入是在旋转衬底的同时，以倾斜方向向所述衬底的主表面注入，使杂质有效地注入到形成于所述电极表面上的所述精细凸状物中以及所述精细凸状物之间的凹部分中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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