[发明专利]制造半导体器件的设备和方法无效
| 申请号： | 98126585.5 | 申请日： | 1998-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1136607C | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 占部耕児 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C23C16/06;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造设备，包括至少一个反应室和一个设于反应室的衬底支架，在反应室中氮化硅膜淀积在衬底支架上，半导体衬底置于反应室中衬底支架的氮化硅膜上。以钛的卤化物为原料气体通过化学汽相淀积工艺在反应室中在半导体衬底上淀积钛膜或氮化钛膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造设备，以钛的卤化物为原料气体通过化学汽相淀积工艺在半导体衬底主表面上形成钛膜或氮化钛膜，其特征在于，该设备包括至少一个反应室和一个设于反应室内用来支持半导体衬底的衬底支持件，所述衬底支持件用基于镍的合金制成并以氮化硅膜涂覆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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