[发明专利]光致抗蚀剂聚合物、组合物及其制备方法有效
| 申请号： | 98126743.2 | 申请日： | 1998-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1129166C | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 郑旼镐;郑载昌;白基镐;卜喆圭 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C07C69/753;C08F232/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 丁业平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种使用含共聚物的光致抗蚀剂的半导体装置及其制备方法。因合成的具有一亲水性基的降冰片烯衍生物(单体)且引至聚合物的主链中，根据本发明的聚合物具有优良的抗蚀性和抗热(这些特征为脂环烯结构的特点)，以及由于引入一亲水性基(-OH)产生显着的黏着性增加而产生优异的分辨度。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 聚合物 组合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚合物，其包含以下列式IV表示的光致抗蚀剂聚合物，其中，R′和R″相互独立地表示氢、带有或没有取代基的直链或支链C1-C4烷基，R1表示具有1到10个碳原子的带有或没有取代基的直链或支链烷基、环烷基、烷氧基烷基或环烷氧基烷基，R2表示氢，m表示1到8的整数，摩尔比x∶y∶z为(0.005-0.9％)∶(0.001-0.9％)∶(0.001-0.9％)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
