[实用新型]可消除白点的CMOS图像感测器无效
申请号: | 98207553.7 | 申请日: | 1998-07-27 |
公开(公告)号: | CN2342468Y | 公开(公告)日: | 1999-10-06 |
发明(设计)人: | 李深地;沈奇廷;陈琪芬;傅健益;陈昭荣;陈维忠 | 申请(专利权)人: | 敦南科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李强 |
地址: | 台湾省台北市松*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种可消除白点的CMOS图像感测器,其包括有P-N接面感测区,场氧化层、保护层及基底。基底上形成有保护层覆盖在鸟嘴上,形成自动对准罩幕,使后续的植入或扩散制造过程,不会植入杂质(例如硼、磷……等)在鸟嘴处,避免P-N接面感测区在鸟嘴处的破坏及缺陷,减少漏电路径,有效地消除白点、亮线(暗点或暗线),会提高成品合格率。 | ||
搜索关键词: | 消除 白点 cmos 图像 感测器 | ||
【主权项】:
1、一种可消除白点的CMOS图像感测器,包括有一基底、一P一N接面感测区、至少一场氧化物及至少一保护层,其特征在于:基底上形成有P-N接面感测区,在P-N接面感测区至少一侧形成有场氧化物,场氧化物上形成有保护层,保护层复盖氧化物的边缘鸟嘴处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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