[实用新型]可降低漏电流的CMOS图像感测器无效
| 申请号： | 98207554.5 | 申请日： | 1998-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN2354239Y | 公开（公告）日： | 1999-12-15 |
| 发明（设计）人： | 李深地;沈奇廷;陈琪芬;傅健益;陈昭荣;陈维忠 | 申请（专利权）人： | 敦南科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京三友专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 台湾省台北市松*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种可降低漏电流的CMOS图像感测器，包括有P－N接面感测区、场氧化层及基底。基底上形成有P－N接面感测区、场氧化层，场氧化层边缘与P－N接面感测区之间有一既定距离。因P－N接面感测区不会与氧化层边缘的鸟嘴接触到，不会造成漏电途径，有效地减少白点、亮线、暗点或暗线，提高成品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 漏电 cmos 图像 感测器 | ||
【主权项】：
1、一种可降低漏电流的CMOS图像感测器，包括有一基底、P－N接面感测区及至少一场氧化物，其特征在于：基底上形成有P－N接面感测区，在P－N接面感测区至少一侧形成有场氧化物，P－N接面感测区与场氧化层之间有一距离。
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