[实用新型]光电感知器无效
| 申请号： | 98208211.8 | 申请日： | 1998-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN2349675Y | 公开（公告）日： | 1999-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王世义 | 申请（专利权）人： | 巨贸精密工业股份有限公司;广翰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘文意 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种光电感知器,特别是一种具有可发射和接收讯号的光电感知器,主要在于将该光电感知器的讯号发射和接收等二插接脚架,是使彼此在接近中段位置设计成互相连体,以便成型后更得以有效加强插接在电路板的稳定度,和彼此的讯号发射和接收点的相对精度,以避免在组合时出现不良现象,从而大幅度提高产品的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 感知 | ||
【主权项】：
1．一种光电感知器，其特征在于：其包括有：一对可分别作发射和接收讯号的光电感知器插接脚架，该插接脚架呈互相相反方向交错排列以一体冲压成型方式制成，且均具有其插脚，在彼此间至少一侧，藉由一体延伸的连体部互相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
