[实用新型]红外探测器无效
| 申请号： | 98212075.3 | 申请日： | 1998-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN2348378Y | 公开（公告）日： | 1999-11-10 |
| 发明（设计）人： | 宁永强;周天明;张宝林;蒋红;金亿鑫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春物理研究所 |
| 主分类号： | G01N21/00 | 分类号： | G01N21/00 |
| 代理公司： | 中国科学院长春专利事务所 | 代理人： | 宋天平 |
| 地址： | 130021*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种红外探测器,属于光探测器领域。本实用新型通过在材料生长过程中控制材料组分,生长出不掺杂的P－N结构,然后利用常规半导体器件工艺制成p+－p－－n－－n+结构的GaInAsSb材料红外探测器,据此作出的探测器可以避免由于掺杂对探测器性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 红外探测器 | ||
【主权项】：
1、一种红外探测器，采用碲化镓GaSb作为衬底，镓铟砷锑GaInAsSb作为主要材料，其特征是在p+型富GaSb的衬底(2)上，有一层采用薄膜外延技术严格控制组分生长的p-型富GaSb的GaInAsSb(3)，(3)的上面是采用相同技术生长的n-型富In/As的GaInAsSb层(4)，(4)的上面是一层富n+型InAs的GaInAsSb层(5)，在(2)层和(5)层的外面分别是用真空镀膜技术制成欧姆接触的探测光入射的p面电极(1)和n面电极(6)。
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