[实用新型]槽形栅静电感应器件无效
| 申请号： | 98218523.5 | 申请日： | 1998-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN2348492Y | 公开（公告）日： | 1999-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李思敏 | 申请（专利权）人： | 李思敏 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80 |
| 代理公司： | 北京市专利事务所 | 代理人： | 张卫华 |
| 地址： | 100011 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种槽形栅静电感应器件,包括下层为型低阻层、上层为N－型高阻层的硅衬底片、源区及源电极金属层、栅区及栅电极、漏区及漏电极金属层,硅衬底片的上表面是N+型源区,硅衬底片的上表面上开有多于一条的槽,每条槽的底部是P+型栅区,硅衬底片的下层低阻层是漏区,漏区的下面是漏电极金属层,源区的上面连接掺磷多晶硅层,该掺磷多晶硅层与源电极金属层连接,每条槽的底面和侧面覆盖绝缘层,侧面绝缘层的上面连接掺磷多晶硅层。它可以提高电流密度、改善电流均匀性、降低工艺难度、减少生产成本。它用于集成电路制造业。 | ||
| 搜索关键词： | 槽形栅 静电感应 器件 | ||
【主权项】：
1．一种槽形栅静电感应器件，包括下层为型低阻层、上层为N-型高阻层的硅衬底片、源区及源电极金属层、栅区及栅电极、漏区及漏电极金属层，硅衬底片的上表面是N+型源区，硅衬底片的上表面上开有多于一条的槽，每条槽的底部是P+型栅区，硅衬底片的下层低阻层是漏区，漏区的下面是漏电极金属层，其特征在于：所述源区的上面连接掺磷多晶硅层，该掺磷多晶硅层与源电极金属层连接，所述每条槽的底面和侧面覆盖绝缘层，侧面绝缘层的上面连接掺磷多晶硅层。
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