[发明专利]互补金属氧化物半导体集成电路

摘要

一种CMOS结构的超大规模集成电路，可不受配线电容、门输入电容的影响而高速工作。把电流输出型门用作发送侧门11，且只在信号的跃迁期间使电容器54充放电，其电流经电流密勒电路55、56放大后流过导通电路15。接收侧门31是低输入阻抗电流输入型门。该门31的结构为：将CMOS反相器35的输入输出端短路连接，其两个电源连接端分别通过p沟道MOSFET电流密勒电路37、39和n沟道MOSFET电流密勒电路38、41而连接在正和负的电源端子16及17上，两个电流密勒电路的输出侧连接在导电通路15上。

主权项

1.一种CMOS集成电路，其特征在于包括：信号传送通路(15)，位于所述的CMOS集成电路中，所述的信号传输路径具有阻抗；以及电流输入型门(31)，位于所述的CMOS集成电路中，所述的电流输入型门具有耦合到所述的信号传送通路的输入端(36)，用于通过所述的输入端来接收输入电流，并且根据输入电流的大小产生输出电压，所述的电流输入型门(31)包括：第一电流镜像电路(37，39)，由多个p沟道MOSFET构成，并连接到正电源电压端；第二电流镜像电路(38，41)，由多个n沟道MOSFET构成，并连接到负电源电压端；n沟道MOSFET(44)，串联插入在所述的输入端(36)与所述的第一电流镜像电路的输入之间；以及p沟道MOSFET(45)，串联插入在所述的输入端(36)与所述的第二电流镜像电路的输入之间，并且其中，正电源电压与负电源电压之间的中点电位被施加到所述的p沟道MOSFET(45)的栅极和所述的n沟道MOSFET(44)的栅极。