[发明专利]使用MOS栅型半导体元件的电力变换装置无效
申请号: | 98800691.X | 申请日: | 1998-05-22 |
公开(公告)号: | CN1078971C | 公开(公告)日: | 2002-02-06 |
发明(设计)人: | 星公弘;岩野义范;中山和也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H02M1/06 | 分类号: | H02M1/06;H02M1/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,叶恺东 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种电力变换装置,包括MOS栅型半导体元件的IEGT(1);在该IEGT(1)的栅极和射极间供给导通电压的导通电压供给电源(2)及开关(4);在IEGT(1)的栅极—射极端子间供给截止电压的截止电压供给电源(3)及开关(5)。该电力变换装置具有与IEGT(1)的射极端子连接的电感(8)。$#! | ||
搜索关键词: | 使用 mos 半导体 元件 电力 变换 装置 | ||
【主权项】:
1.一种电力变换装置,其中的多个MOS栅型半导体元件并联连接;其特征在于:电压施加部分,用于施加各所述元件的栅极与发射极之间的导通电压和截止电压;多个电感,连接于所述各元件的发射极,从而提高所述各元件之间的电流平衡程度,用以分别往各元件施加不同的栅电压。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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