[发明专利]使用MOS栅型半导体元件的电力变换装置无效

专利信息
申请号: 98800691.X 申请日: 1998-05-22
公开(公告)号: CN1078971C 公开(公告)日: 2002-02-06
发明(设计)人: 星公弘;岩野义范;中山和也 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H02M1/06 分类号: H02M1/06;H02M1/08
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王勇,叶恺东
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种电力变换装置,包括MOS栅型半导体元件的IEGT(1);在该IEGT(1)的栅极和射极间供给导通电压的导通电压供给电源(2)及开关(4);在IEGT(1)的栅极—射极端子间供给截止电压的截止电压供给电源(3)及开关(5)。该电力变换装置具有与IEGT(1)的射极端子连接的电感(8)。$#!
搜索关键词: 使用 mos 半导体 元件 电力 变换 装置
【主权项】:
1.一种电力变换装置,其中的多个MOS栅型半导体元件并联连接;其特征在于:电压施加部分,用于施加各所述元件的栅极与发射极之间的导通电压和截止电压;多个电感,连接于所述各元件的发射极,从而提高所述各元件之间的电流平衡程度,用以分别往各元件施加不同的栅电压。
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