[发明专利]薄膜器件的转移方法及其应用

摘要

一种将形成于衬底上的薄膜器件转移到一次转移体上，之后又转移到二次转移体上的薄膜器件制作方法。在激光可透过的衬底(100)上设有如非晶硅等的第1分离层(120)。在该衬底(100)上形成TFT等的薄膜器件(140)。并且，在薄膜器件(140)上形成如热熔性粘合层等第2分离层(160)，在其上形成一次转移体(180)。通过光照使第1分离层的内聚力减弱而将衬底(100)去除，并将薄膜器件(140)转移到一次转移体(180)。并且，在露出的薄膜器件(140)的下面通过粘合层(190)粘合二次转移体(200)。于是，通过例如热熔融使第2分离层的内聚力减弱而去除一次转移体。结果，薄膜器件(140)就可保持与衬底(100)的叠层关系原样不变而转移到二次转移体(200)上。

主权项

1.一种薄膜器件转移方法，其特征在于包括下列步骤：在衬底上形成第1分离层的第1工序；在上述第1分离层上形成包含薄膜器件的被转移层的第2工序；在上述被转移层上形成第2分离层的第3工序；在上述第2分离层上粘合一次转移体的第4工序；对上述第1分离层进行光照，使上述第1分离层层内及/或界面上产生剥离，并以上述第1分离层为界从上述被转移层去除上述衬底的第5工序；在上述被转移层的下面粘合二次转移体的第6工序；以及以上述第2分离层为界从上述被转移层去除上述一次转移体的第7工序；并且将包含上述薄膜器件的上述被转移层转移到上述二次转移体之上。