[发明专利]半导体电路及其控制方法无效
| 申请号： | 98800984.6 | 申请日： | 1998-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1234901A | 公开（公告）日： | 1999-11-10 |
| 发明（设计）人： | 甲斐康司;大泽拓;村上和彰 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是在半导体电路中,或特别是在其上组合了DRAM和逻辑电路的LSI中降低刷新操作的次数,从而实现降低能耗和防止因刷新和逻辑电路的DRAM存取之间的冲突引起的存储器存取时间增加造成逻辑电路性能降低。为实现该目的,仅对存储了由逻辑部分使用的数据的行进行刷新。另外,把从数据写入到数据读出周期重叠或相互接近的任意数据分配给DRAM的同一行,以便在其上存储数据,仅在其上存储的数据有效的时间周期期间刷新该行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电路 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1．一种控制包括DRAM的半导体电路的方法，包括步骤：在DRAM的每一行上排列数据，并对数据进行组合以减少存储数据所需的行的数量；和刷新其上已存储数据的每一所述行。
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