[发明专利]电池及其制造方法无效
申请号: | 98801279.0 | 申请日: | 1998-09-02 |
公开(公告)号: | CN1148812C | 公开(公告)日: | 2004-05-05 |
发明(设计)人: | 森胁良夫;岩濑彰;北冈进;饭田守;松本功 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01M2/02 | 分类号: | H01M2/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 刘立平 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种将放电要素装入金属外壳(1)内的电池。所述金属外壳(1)为具有圆筒形、方形或类似形状的、底厚/侧壁厚比为1.2~4.0的有底金属外壳,上述金属外壳(1)由以铝为主体的材料构成。又,比较理想的是,所述金属外壳(1)至少在其内侧表面形成无数垂直于底面的浅沟槽,并在所述电池内侧面设置镍层。金属外壳藉由深冲和减薄拉深的DI加工,将以铝为主体的金属外壳(1)的底厚/侧壁厚之比作成以往所没有的1.2~4.0的数值。 | ||
搜索关键词: | 电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种将放电主要成份收容于金属外壳(1)中的电池,所述金属外壳(1)是圆筒形、方形或者类似形状的、其底厚(TA)/侧壁厚(TB)之比为1.2~4.0的有底金属壳体,其特征在于,该金属外壳(1)由以铝为主体的金属材料、或由以铝为主体的合金材料构成,针对使用于所述金属外壳(1)的以铝为主体的金属材料、或由以铝为主体的合金材料的微氏硬度HV值,成形后的金属外壳(1)的侧壁部(1b)的HV值为上述HV值的1.2倍以上,至少在所述金属外壳(1)的电池内侧面上形成了无数与底面垂直、深为0.5~10.0μm的浅沟槽。
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