[发明专利]半导体激光器无效
| 申请号： | 98801362.2 | 申请日： | 1998-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1118120C | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 董杰;松本功 | 申请（专利权）人： | 日本酸素株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在2μm波段振荡的高性能的半导体激光器。迄今，1.3μm至1.55μm的波段的半导体激光器的开发正取得进展，但关于预期有很宽的利用技术领域的2μm的波段的半导体激光器的开发，还是不充分的。本发明的半导体激光器是在波长为2μm频带振荡的使用了InGaAs/InGaAsP材料的压缩应变量子阱半导体激光器，它是以光限制层的带隙Eocl与量子阱层的基底能级间的发光转移能Ewell的差ΔE是275～300meV为特征的在2μm波段振荡的高性能的半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种在波长为2μm频带振荡的使用了InGaAs/InGaAsP材料的压缩应变量子阱半导体激光器，其特征在于：光限制层的带隙(Eocl)与量子阱层的基底能级间的发光转移能(Ewell)的差(ΔE)是275～300meV；量子阱的宽度是10nm；和上述压缩应变量子阱半导体激光器的分别限制异质结构具有2％的应变量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本酸素株式会社，未经日本酸素株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98801362.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
