[发明专利]用户接口保护电路无效
申请号: | 98802966.9 | 申请日: | 1998-12-29 |
公开(公告)号: | CN1131565C | 公开(公告)日: | 2003-12-17 |
发明(设计)人: | 克里斯蒂·巴隆 | 申请(专利权)人: | ST微电子公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H02H9/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及到一种防止线路遭受大于确定的正阈值或小于确定的负阈值的过电压的危害的单片元件,它包括反向并联的阴栅极闸流管(Th1)和阳栅极闸流管(Th2),阴栅极闸流管的栅极经由栅极电流放大晶体管(T1)连接于负阈值电压(-V)。阳栅极闸流管的栅极连接于正阈值电压(+V),此单片元件制作在被隔离壁(3,4)分隔成阱的衬底中,其下表面涂敷有绝缘层(5,6),衬底的下表面均匀地涂敷有金属层(M1)。 | ||
搜索关键词: | 用户 接口 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种保护线路免遭大于确定的正阈值或小于确定的负阈值的过电压危害的单片元件,它包括反向并联连接在要保护的线路的第一端子(L1A)与参考电压之间的阴栅极闸流管(Th1)和阳栅极闸流管(Th2),阴栅极闸流管的栅极经由栅极电流放大晶体管(T1)连接于负阈值电压(-V),阳栅极闸流管的栅极连接于正阈值电压(+V),其特征是:此单片元件制作在被隔离壁(3,4)分割成阱的第一导电类型的衬底中,其下表面涂敷有绝缘层(5,6),衬底的下表面均匀地涂敷有金属层(M1),阴栅极闸流管的栅电流放大晶体管(T1)在第一阱中制成垂直形式,阴栅极闸流管(Th1)在第二阱中制成垂直形式,阳栅极闸流管(Th2)在第三阱中制成垂直形式,下表面金属层(M1)将晶体管的集电极、阴栅极闸流管的阳极、阳栅极闸流管的阴极连接起来,第一正面金属层(M2)将阴栅极闸流管的阴极连接到阳栅极闸流管的阳极,第二正面金属层(M3)将阴栅极闸流管的栅极连接到晶体管的发射极,以及第三正面金属层与阳栅极闸流管的栅极接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的