[发明专利]形成超导器件的方法及如此形成的超导器件无效
| 申请号： | 98803127.2 | 申请日： | 1998-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1102803C | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 马启元;陈名玲 | 申请（专利权）人： | 纽约市哥伦比亚大学托管会 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于在超导薄膜上使用选择蚀刻技术形成超导器件(232)的方法。该方法利用将离子注入与化学蚀刻结合的快速蚀刻。超导薄膜要保留的部分在离子注入处理(217)中被掩盖(215)。然后化学蚀刻处理以比没有注入的部分(223)快得多的速度去掉超导薄膜经注入的部分(225，227)，从而只保留了未注入的部分(223)。得到的超导器件可以用作超微型结构和微型的尖头、辐射热测量计、多层RF线圈、微波波导和滤波器。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 超导 器件 方法 如此 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成超导器件的方法，其特征在于包括步骤：在衬底材料上淀积氧化物超导体薄膜层；用至少一个掩膜层覆盖所述超导体层的至少一个选出部分；将离子注入到所述超导体层，其中所述至少一个掩模层阻止对所述至少一个选出部分的离子注入；以及用蚀刻剂化学蚀刻所述超导体层，所述蚀刻剂择优地除去所述超导体层中不是所述至少一个选出部分的部分，其特征在于所述蚀刻剂包括磷酸。
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