[发明专利]可重写锗－锑－碲合金光信息介质无效
| 申请号： | 98803160.4 | 申请日： | 1998-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN1132166C | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 周国富;B·A·J·雅各布斯 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 描述了一种可重写的光信息介质，其具有在成分位于三角形三元成分图中五边形区域PQSRT内的合金Ge-Sb-Te的基础上的相变记录层。这些合金表现出50ns或更少的完全擦除时间(CET)。45ns以下的CET值通过位于五边形区域PQSRT内的Te和化合物GeSb2Te4的连线上的合金获得。这种介质适合于高速记录(如至少6倍于CD速度)，如用于DVD-RAM和光带。 | ||
| 搜索关键词： | 重写 金光 信息 介质 | ||
【主权项】：
1.一种以激光束来高速记录的可重写光信息介质，所述介质包括承载堆积层的衬底，该堆积层依次包括第一绝缘层，含有由Ge，Sb和Te组成的合金的相变材料的记录层，第二绝缘层和金属镜面层，其特征在于-合金具有由原子百分比的三元成分相图Ge-Sb-Te中的一个区域所限定的成分，所述区域是具有如下顶点的五边形：Ge14.2Sb25.8Te60.0(P)Ge12.7Sb27.3Te60.0(Q)Ge13.4Sb29.2Te57.4(R)Ge15.1Sb27.8Te57.1(S)Ge13.2Sb26.4Te60.4(T)-具有70到(70+λ/2n)nm的厚度的第一绝缘层，其中λ是激光束的波长，n是该层的折射率；-具有10到35nm的厚度的记录层；-具有10到50nm的厚度的第二绝缘层；-具有60到160nm的厚度的金属镜面层。
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