[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 98803436.0 | 申请日： | 1998-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1147009C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 幡俊雄 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，由在表面具有电流阻挡区域和电流注入区域的半导体层、为构成所述电流阻挡区域而在所述半导体层上形成的电流阻挡层、在该阻挡层上形成的衬垫电极、以及为构成所述电流注入区域而在所述半导体层上形成的透光性电极构成，所述衬垫电极具有与透光性电极连接的电极连接部。利用这样的半导体发光元件，可防止发生由于透光性电极断线而造成的电流不能注入发光元件、透光性电极电阻变高的情况，能高成品率地制作工作性能良好的发光元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，由在表面具有电流阻挡区域和电流注入区域的半导体层、为构成所述电流阻挡区域而在所述半导体层上形成的电流阻挡层、覆盖该电流阻挡层形成的衬垫电极、以及为构成所述电流注入区域而在所述半导体层上形成的透光性电极构成，其特征在于，覆盖所述电流阻挡层形成的衬垫电极具有从所述电流阻挡层延伸到电流阻挡层形成区域外侧的透光性电极的电极连接部。
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