[发明专利]光电器件及其制造方法有效
| 申请号： | 98803569.3 | 申请日： | 1998-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1139997C | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 中井拓夫;谷口裕幸;家永照彦;門永泰男 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明揭示一种光电器件及其制造方法，光电器件将太阳光等的光能直接转变成电能。在n型单晶硅基板(1)的表面上形成多个凹凸部后，对基板(1)的表面上施行各向同性刻蚀，做成基板(1)表面凹凸部的圆形谷底(b)的部分，通过本征非晶态硅层(2)，在基板(1)的表面上设置p型非晶态硅层(3)。各向同性刻蚀后的表面形状为表面凹凸部的谷底的部分略带圆形，并在其上能沉积均匀膜厚的非晶态硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电器件，其特征在于，包括利用各向异性刻蚀在表面上形成多个锥状凹凸部的结晶硅基板和利用化学气相生长法设置在这种凹凸部上的非晶态或者微晶硅层，设置在所述基板表面上的锥状凹凸部的谷底部分为圆形形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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