[发明专利]一种回收表面待用碳化硅基体的方法有效
| 申请号： | 98804197.9 | 申请日： | 1998-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1123073C | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | G·H·尼格利 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种从碳化硅基体上的III族氮化物异质外延结构回收表面待用碳化硅基体的方法。该方法包括向碳化硅基体上的III族氮化物外延层施加应力使外延层内有效增加位错数量以便让外延层在无机酸内受到浸蚀和溶解，但反过来并不影响碳化硅基体，和随后用无机酸接触外延层以便去除III族氮化物同时留下不受影响的碳化硅基体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 回收 表面 待用 碳化硅 基体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种回收表面待用碳化硅基体的方法，该方法通过从基体上化学去除氮化物而由碳化硅基体上的III族氮化物异质外延结构回收表面待用碳化硅基体，其特征在于：向碳化硅基体上的III族氮化物外延层施加应力，所述应力能使外延层内有效增加位错数量以便让外延层在无机酸内受到浸蚀和溶解，但反过来并不影响碳化硅基体；和随后用无机酸接触外延层以便去除III族氮化物同时留下不受影响的碳化硅基体。
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