[发明专利]集成电路中的电容器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种在集成电路制造中制造具有金属导电电极的电容器的方法，还涉及电容器自身和集成电路，该集成电路优选用于高频应用。根据本发明，通过在包括最下层衬底和最上层绝缘层(13)的层状结构(11)上淀积第一金属层(15)形成下电极(17，73，67)。在第一金属层(15)上淀积绝缘层(19)，然后通过腐蚀穿过所说绝缘层(19)的通孔(21)，形成到下电极(17，63，67)的电连接(25)，所说通孔(21)被填塞。然后，露出预定区域(33)内的第一金属层(15)，然后，淀积、构图并腐蚀介质层(35)，使其覆盖(39)所说预定区域(33)。最后通过在由此所得结构上淀积第二金属层(41)形成上电极(47，63，67)和连接层(43)，其中所说第二金属层(41)构图和腐蚀成使上电极(47，63，67)覆盖(49)所说预定区域(33)，使所说连接层(43)覆盖所说填塞通孔(21)。

主权项

1·一种在制造用于高频应用的集成电路期间制造具有金属导电电极的电容器的方法，其特征在于按以下顺序的下列步骤：-通过在包括最下层衬底和最上层绝缘层(13)的层状结构(11)上淀积第一金属层(15)，制造下电极(17，63，67)，-在第一金属层(15)上淀积绝缘层(19)，-通过腐蚀穿过所说绝缘层(19)的通孔(21)形成连接到下电极(17，63，67)的电连接(25)，其中所说通孔(21)被填塞，-露出预定区域(33)内的第一金属层(15)，-通过在以上述方式得到的结构上淀积介质层(35)形成电容器介质(37)，所说介质层被构图和腐蚀成使电容器介质(37)覆盖所说预定区域(33)，及-通过在上述得到的结构(40)上淀积第二金属层(41)，形成上电极(47，63，67)和连接层(43)，所说第二金属层(41)被构图和腐蚀成使上电极(47，63，67)覆盖所说预定区域(33)，连接层(43)覆盖填塞的通孔(21)。