[发明专利]碳化硅场控双极型开关无效
| 申请号： | 98804658.X | 申请日： | 1998-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1166001C | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | R·辛格;J·W·帕尔穆尔 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/24 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新;张志醒 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 场控双极性开关具有带有上表面和下表面的第一导电类型的单晶碳化硅体材料衬底。第二导电类型碳化硅的第一外延层制作在衬底的上表面上。第二导电类型碳化硅的第二外延层制作在碳化硅的第一外延层上。多个第三导电类型碳化硅区域制作在第二外延层中以便在第二外延层中形成栅极栅格。第二导电类型碳化硅的第三外延层制作在第二外延层上，第二导电类型碳化硅的第四外延层制作在第三外延层上。第四外延层的载流子浓度高于第一、第二和第三外延层。第一欧姆接触制作在第四外延层上，第二欧姆接触制作在衬底的下表面上。欧姆栅极接触连接到栅极栅格，以便在向欧姆栅极接触施加偏置电压时夹断第一欧姆接触和第二欧姆接触之间的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 场控双极型 开关 | ||
【主权项】：
1.高电压、高电流场控双极型开关，包括：具有上表面和下表面的第一导电类型的单晶碳化硅体材料衬底；位于所述衬底的所述上表面上的第二导电类型碳化硅的第一外延层；位于所述碳化硅第一外延层上的所述第二导电类型碳化硅的第二外延层；多个制作在所述第二外延层中以便在所述第二外延层中形成栅极栅格的第三导电类型碳化硅区域，其中第三导电类型是与第二导电类型相反的导电类型；制作在所述第二外延层上的所述第二导电类型碳化硅的第三外延层；位于所述第三外延层上的所述第二导电类型碳化硅的第四外延层，所述第四外延层的载流子浓度高于所述第一外延层、所述第二外延层和所述第三外延层；位于所述第四外延层上的第一欧姆接触；制作在所述衬底下表面上的第二欧姆接触；以及与所述栅极栅格相连、以便在向所述欧姆栅极接触施加偏置电压时夹断所述第一欧姆接触和所述第二欧姆接触之间的电流的欧姆栅极接触；其中衬底的导电类型与制作在衬底上的外延层的相反。
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