[发明专利]TDMA发射机的电源接口电路无效
| 申请号： | 98805240.7 | 申请日： | 1998-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1100397C | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | P－O·M·勃兰特 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/04 | 分类号： | H04B1/04;H03F3/21;H04J3/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 栾本生,李亚非 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了采用n沟道MOSFET(66)来控制电源(46)对TDMA功率放大器(58)的开关的电源接口电路(64)。接通时，n沟道MOSFET(66)将电源(46)连接在功率放大器(58)上，而在截止时，它将电源从功率放大器上断开。电源接口电路(64)包含响应开关控制信号控制n沟道MOSFET(66)的开关状态的开关控制电路(70)。开关控制信号具有在其中截止n沟道MOSFET(66)的第一双态及在其中接通n沟道MOSFET的第二双态。 | ||
| 搜索关键词： | tdma 发射机 电源接口 电路 | ||
【主权项】：
1.一种功率放大器的电源接口电路，包括：提供电源电压给功率放大器的电源；耦合在电源与功率放大器之间有选择地将电源电压连接在功率放大器上的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；响应电源控制信号控制n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的开关控制电路，该电源控制信号具有在其中截止n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的第一双态及在其中接通n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的第二双态，其中该电源控制信号产生第一栅电压来截止n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管及产生第二栅电压来接通n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；以及耦合在n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管以独立于电源电压调节第二栅电压的齐纳二极管。
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