[发明专利]高传导性埋层光波导无效
| 申请号： | 98805283.0 | 申请日： | 1998-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1134692C | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | R·J·博泽特;V·纳亚 | 申请（专利权）人： | 英国国防部 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02B6/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇;张志醒 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一个光学装置(300)包括由晶片粘合形成的多层结构，依次包括二氧化硅层(304)，埋置硅化物层(306)，接触层(308)和硅表面层(310)。表面层(310)被选择性蚀刻形成外露拱肋(312)。拱肋(312)的上表面被掺杂，沿该表面形成延长型电极(314)。表面层(310)在远离拱肋(312)的区域被选择性蚀刻到接触层(308)，形成通路沟道(316a，316vb)，用以与接触层(308)电连接。拱肋(312)构成辐射沿其传播的波导。当电极(314)相对于接触层(308)被偏置时，电荷载体被注入拱肋(312)，并在辐射沿拱肋(312)主要传播的中心区域(324)引起折射率变化。硅化物层(306)提供一个有效的电流导电通路以注入载体，从而提供增强的装置工作频带宽度和减小的能量损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 传导性 埋层光 波导 | ||
【主权项】：
1.一个光学装置，具有一个活性区域(108；312；408；512)用以辐射传播，及一个注入装置(110；202；204；410；514；520)用以注入电荷载体于活性区域，其特征在于：注入装置在连接的晶片偶联体的两个晶片元件之间包含有高导电性埋层(104；202；306；308；402；506)，并且，光学装置还包括集聚元件(204；414)，安置于埋层和活性区域之间，用以在活性区域集聚电荷载体。
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