[发明专利]在半导体衬底中制造平面绝缘沟槽的方法

摘要

改善沟槽结构上形貌的方法，在沟槽边缘区域中提供例如多晶硅20过量多晶半导体材料或氮化物或氧化物，如果需要，过量材料的随后氧化防止产生高机械应力区。

主权项

1.在具有平面表面(3)的半导体材料衬底(2)中形成沟槽的方法，包括以下步骤：利用掩模(4)掩蔽衬底(2)的平面表面(3)中要求的沟槽(1)位置，在所说平面表面(3)中腐蚀要求深度的沟槽(1)，在部分或全部衬底(2)的露出表面上形成第一绝缘层(9)，在第一绝缘层(9)上淀积第二绝缘材料层(6)，其中所说第二绝缘材料层(6)的厚度足以过填充沟槽(1)，深腐蚀第二绝缘材料层(6)，直到平面表面(3)上的第一绝缘层(9)露出，但所说沟槽(1)仍包含所说第二绝缘材料层(6)，由此在沟槽(1)上形成基本垂直向下的台阶(8)，台阶的高度是h，其特征在于以下步骤：在所说晶片(2)和所说沟槽(1)中所说第二绝缘层(6)的露出表面上淀积与所说绝缘材料(6)相同类型的绝缘膜(21)；各向异性深腐蚀该绝缘膜(21)，以便残留在沟槽(1)边缘区域中的所说第二绝缘材料层(6)上的该绝缘膜(21)的深度d小于或等于台阶(8)的高度h；和氧化上述深腐蚀后的绝缘膜(21)，使氧化前绝缘膜(21)的厚度合适，以便完成氧化后，得到的氧化层(22)基本上与露出的平面表面(3)共平面。