[发明专利]埋置式电容器的装设方法和用这种方法装设的埋置式电容器无效
| 申请号： | 98805913.4 | 申请日： | 1998-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1155029C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | T·拉松;J·约恩松 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明涉及在衬底或诸如此类的物体上装设埋置式电容器的方法和用这种方法埋置的电容器。为减少电容器中的电阻损耗并提高电容器的效能在半导体电路中不采用多晶层而采用一个或多个如铝钨之类的金属体(14)。为做到这一点，本发明采用了一种新工艺：在不致腐蚀掉沟道中的绝缘层的情况下将沟道填充料腐蚀掉，然后将沟道充以上述金属(14)，从而使导电材料与金属体之间的绝缘层(13)将两导电表面分隔开，形成埋置式电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 埋置式 电容器 装设 方法 这种方法 | ||
【主权项】：
1.在衬底上形成埋置式电容器的方法，其特征在于在衬底上腐蚀出至少一个孔眼或一个沟槽；为所述至少一个孔眼或沟槽敷有绝缘层；在绝缘过的所述至少一个孔眼或沟槽中填充金属；所述衬底构成第一电容器电极，所述绝缘层构成电容器介质，所述金属构成第二电容器电极。
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