[发明专利]用于高频集成电路的衬底无效
| 申请号： | 98806113.9 | 申请日： | 1998-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1132226C | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | A·利特温;A·瑟德贝格 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/06;H01L21/283;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种硅基硅衬底材料具有使体衬底料与顶层(7)绝缘的半绝缘内部层(5)，其中集成电路要设置在顶层中。该半绝缘层是这样形成的，即通过形成具有肖特基势垒或pn异质结势垒的亚微米颗粒，并且使颗粒分布得使所形成的围绕相邻颗粒的耗尽区互相重叠。这种颗粒将通过电荷载流子耗尽硅材料。随后可以使用标准硅处理方法处理衬底材料，并允许制造适于高频应用的集成电路。通过在硅晶片(1)中溅射金属如钴，然后借助退火处理使溅射的钴原子硅化，由此制成硅衬底。然后将在其底表面具有二氧化硅层(13)的顶部硅晶片(11)键合到该溅射的层上。最后将顶部晶片(11)薄化以提供适于在元件制造中所需处理步骤的层厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高频 集成电路 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种硅基衬底材料，其特征在于，硅基半绝缘层和包括具有金属或半导体性能并具有在其周围的耗尽区的颗粒，这些颗粒分布得使相邻颗粒的耗尽区互相重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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