[发明专利]金刚石生长无效
申请号: | 98806216.X | 申请日: | 1998-04-16 |
公开(公告)号: | CN1131095C | 公开(公告)日: | 2003-12-17 |
发明(设计)人: | G·J·达维斯;R·A·查普曼;A·斯特瓦特;L·K·赫德格斯 | 申请(专利权)人: | 德比尔斯工业钻石部门有限公司 |
主分类号: | B01J3/06 | 分类号: | B01J3/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 卢新华,杨九昌 |
地址: | 南非德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 提供一种生长金刚石晶体的方法,它包括提供金刚石晶体源;提供许多由金刚石晶体限定的生长中心;以颗粒形式将源和生长中心金刚石与溶剂/催化剂混合以形成反应物料;使反应物料处于适宜晶体生长的高温高压条件下;回收金刚石晶体。该方法的特征是依靠晶源和生长中心晶体之间颗粒大小差异的选择,达到至少部分地,最好是全部地溶剂/催化剂中所需要的碳饱和。利用本方法生产的金刚石晶体物料具有很高浓度的双晶金刚石。 | ||
搜索关键词: | 金刚石 生长 | ||
【主权项】:
1.一种生长金刚石晶体以产生一种金刚石晶体物料的方法,在该金刚石晶体物料中至少40%是由合成的双金刚石组成,该方法包括如下步骤:提供金刚石晶体源;提供由金刚石晶体限定的许多生长中心;以颗粒形式将源金刚石和生长中心金刚石与溶剂/催化剂混合以形成反应物料;使反应物料处于适宜晶体生长的高温高压条件下,依靠晶源和生长中心晶体之间颗粒大小差异的选择,至少是部分地获得在溶剂/催化剂中所需要的碳过饱和;和从反应物料中回收金刚石晶体。
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