[发明专利]SOI衬底及其制造方法和半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98806334.4 | 申请日： | 1998-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1260907A | 公开（公告）日： | 2000-07-19 |
| 发明（设计）人： | 森安嘉贵;森下隆;松井正宏;石田诚 | 申请（专利权）人： | 旭化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L27/12;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在蓝宝石衬底上生长硅层以制作SOS衬底、或在硅衬底上层叠作为中间层的晶体氧化物层或氟化物层后再在其上生长硅层以制作SOS衬底的情况下,生长硅层后,在氧化性气氛中进行热处理以将硅层的表面侧的一部分氧化,然后用蚀刻去除硅氧化物层,并以残余的硅层作为籽晶硅层进行同质外延生长,或在硅层生长之后或生长中在氢气气氛中加热。这种方法可提供缺陷少、结晶性和取向性高、表面粗糙度小的SOS衬底或SOI衬底。 | ||
| 搜索关键词： | soi 衬底 及其 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种SOI衬底，该SOI衬底包括绝缘性底层和在其上外延生长的晶体硅层，且该绝缘性底层是单晶氧化物衬底、或是在硅衬底上层叠晶体氧化物层或氟化物层而得到的衬底，其特征在于：所述晶体硅层的缺陷密度为≤4×108个/cm2，且该晶体硅层的表面粗糙度为0.05～4nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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