[发明专利]低缺陷浓度的硅无效
| 申请号： | 98806904.0 | 申请日： | 1998-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1261928A | 公开（公告）日： | 2000-08-02 |
| 发明（设计）人： | R·法尔斯特;J·C·霍尔泽 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B33/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 龙传红 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括在自－填隙原子很活跃的温度范围内控制生长条件,如生长速度V、瞬时轴向温度梯度GO以及冷却速度,以避免这类聚集缺陷的形成。在晶棒形式下,从晶棒的圆周边径向朝中心轴测得的轴对称区宽度至少约为晶棒半径长度的30%,沿中心轴测得的轴对称区长度至少约为晶棒恒定直径段长度的20%。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 浓度 | ||
【主权项】：
1.一种具有中心轴、与该轴垂直的前端面和后端面、圆形周边、以及从中心轴延伸到晶片圆周边的半径的单晶硅晶片，该晶片包含基本无聚集本征点缺陷的轴对称区，该轴对称区从晶片的圆周边径向朝内扩延，且其从圆周边沿径向朝中心轴测得的宽度至少为晶片半径的40％。
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